() 离子注入原理：
离子注入由离子源、质量分析器、加速器、sì jí透镜、sǎo miáo系统和靶室组成，可以根据实际需要省去次要部位。离子源是离子注入的主要部位，作用是把需要注入的元素气态粒子电离成离子，决定要注入离子的种类和束流强度。离子源直流放电或高频放电产生的电子作为轰击粒子，当外来电子的能量高于原子的电离电位时，通过碰撞使元素发生电离。碰撞后除了原始电子外，还出现正电子和二次电子。正离子进入质量分析器选出需要的离子，再经过加速器获得较高能量，由sì jí透镜聚焦后进入靶室，进行离子注入。
高能离子注入的优势：
多样性：原则上任何元素都可以作为注入离子；形成的结构可不受热力学参数（扩散、溶解度等）限制；
不改变：不改变工件的原有尺寸和粗糙度等；适合于各类精密零件生产的最后一道工序；
牢固性：注入离子直接和材料表面原子或分子结合，形成改性层，改性层和基底材料没有清晰的界面，结合牢靠，不存在脱落的现象；
不受限：注入过程在材料温度低于零下、高到几百上千度都可以进行；可对那些普通方法不能处理的材料进行表面强化，如塑料、回火温度低的钢材等；
应用：
离子注入是集成电路制造前工序的关键设备，离子注入是对半导体表面附近区域进行掺杂的技术，其目的是改变半导体的载流子浓度和导电类型。离子注入与常规热掺杂工艺相比可对注入剂量、注入角度、注入深度、横向扩散等方面进行精确的控制，克服了常规工艺的限制，提高了电路的集成度、开启速度、成品率和寿命，降低了成本和功耗。离子注入广泛用于掺杂工艺，可以满足浅结、低温和精确控制等要求，已成为集成电路制造工艺必不可少的关键装备。
