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自由电位：含有正负电荷的粒子如电子、离子它们或它们周围的有限的电场区域，称之为电位或电势，能够自由移动或自由产生与消失的电位，称之为自由电位。 </p>
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自由电位的描述：用ze代表自由电位，则自由电位分布ze=（x,y,z)，其中xyz是变量，一般有固定的值域。</p>
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自由电位结构（短期记忆）：由自由电位构成的电位结构，称之为自由电位结构。</p>
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自由电位结构的描述：用ze=（x,y,z)代表自由电位分布，用estr代表自由电位结构，则自由电位结构estr=（zeize∈ze1,ze2,ze3,…zen,其中zen=(xn,yn,zn),n∈z)</p>
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多自由电位结构平衡：estr-b=x-y-z，其中x是自由的而不是结合固定的，y是第一次出现或不是经常性出现的，z是离散的、无序的。</p>
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自由电位结构的类型：分为脑部自由电位结构、躯干自由电位结构、四肢自由电位结构，分别担任思考、生命huó dòng、运动这些功能。</p>
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多自由电位平衡系统：nze-b=(ze-b1,ze-b2,ze-b3,…ze-bn),称之为多自由电位平衡系统，总式为ze=xze-yem-zeo→m。多自由电位平衡系统nze-b是由庞大的三维立体路径网络neo→m=(eo→m1,eo→m2,eo→m3…eo→mn)，以及大量处于neo→m的始态neo=(eo1,eo2,eo3,…eon)上的nze=(ze1,ze2,ze3…ze n)构成，由于确定的三维立体路径网络neo→m，所以同时确定了并限制了电位目的结构的nem=(em1,em2,em3,…emn)，故而nem=(em1,em2,em3,…emn)是非必要的。 </p>
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多自由电位平衡系统的规模：nze-b中的由ze、em、eo→m构成的ze-b=(ze、em、eo→m)的数量的多少n，或ze-b=xze-yem-zeo→m中n=x=y=z它们的n，称之为多自由电位平衡系统nze-b的规模。ze-b=(ze、em、eo→m)的数量n越大，多自由电位平衡系统nze-b的规模就越大，即nze-b的规模与单电位平衡ze-b的数量n成正比。</p>
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好处：nze-b的规模就越大，其承载的、演化的、模拟的电位结构平衡就越多，即信息量就越大，并且，能够转化为固定的电位结构就越多。</p>
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多自由电位结构平衡与外记忆状态：当意识体处于外记忆状态而进行多结构体平衡运动时，先会利用五大转界门（由大量光子构成的光子图画集体轰击眼球结构的大量电位目的结构，由持续的声波震动耳朵结构的大量电位目的结构，由大量的气体分子刺激鼻子结构的大量电位目的结构，由大量的分子刺激味蕾结构的大量电位目的结构，由各种三维力作用于皮肤筋肉结构的大量电位结构），将外界出现的各种随机型目的态传递到大脑结构内的多自由电位结构平衡之中，而这些随机型目的态会使原本无序的多自由电位结构平衡estr-b=x-0-z变成有序的estr-b=x-y-z，而将外界的结构平衡以及自身的结构平衡由多自由电位结构平衡系统模拟出来。像这种使转界门持续开启而将外界出现的各种随机型目的态不断传递到大脑结构内的多自由电位结构平衡中使其变得有序，而将外界的结构平衡以及自身的结构平衡由多自由电位结构平衡系统模拟出来，称之为外记忆状态。当中的原理是通过转界门将目的态吸力f传送到电位意识世界之内，随后关闭转界门，使得转界门关闭前那一刻的目的态吸力f被电位意识世界封闭起来，作为驱动电位意识世界的第一启动力。</p>
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自由电位结构化：对于脑部自由电位所构成的多自由电位平衡系统，构成它的电位是自由的、无序的，当这些电位变得有序且相对固定而短暂地组织成各种电位结构，称之为自由电位结构化，简称结构化。</p>
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结构化规模：脑部的多自由电位因结构化而被占用的自由电位的规模，称之为结构化规模，用nze表示。</p>
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结构化比率：自由电位结构化规模nze与脑部多自由电位平衡系统的规模nze之比，称之为结构化比率，用n/nze表示。</p>
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外记忆状态结构化规模：开启五大转界门，让物质世界出现的各种随机型目的态不断传递到脑部内的多自由电位中使其变得有序，而将外界的结构平衡以及自身的结构平衡由多自由电位平衡系统通过结构化而模拟出来，而对于处在外记忆状态所进行的结构化的规模，称之为外记忆状态结构化规模</p>
nze。</p>
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内记忆状态结构化规模：关闭五大转界门，关闭前那一刻的目的态吸力f被电位意识世界封闭起来，驱动电位意识世界里的固定电位结构（一般是固定的电位路径结构）的电位结构平衡，由于意识世界的某些物理规则，促使内记忆即固定电位结构的自由组合而形成更大规模的一阶意识世界（固定电位结构形成的意识世界相对来说是零阶），而一阶意识世界的元素或者说电位结构的自由组合再次形成更大规模的意识世界称之为二阶意识世界，同理可得三、四…多阶意识世界。对于这些一阶及一阶以上的意识世界，它们的生成或模拟而需要占用到的自由电位的规模，内记忆状态结构化规模nze-p。</p>
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对于内记忆状态结构化规模nze-p，当意识体长时间处于外记忆状态的关于五大转界门的剧烈运动而处于亢奋，此时若转换到内记忆状态，那么它的nze-p一般不超过由固定电位结构形成的零阶意识世界的范围之内；当意识体长时间处于外记忆状态的关于五大转界门的微弱运动而处于平静，此时若转换到内记忆状态，那么它的nze-p至少是一阶意识世界的规模，一般是二阶到三阶意识世界的规模，其规模是前者的数倍。</p>
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内记忆状态结构化的稳定性：对于由内记忆即固定电位结构的多次自由组合而形成更大规模的多阶意识世界（固定电位结构形成的意识世界相对来说是零阶），需要自由电位的结构化，而自由电位结构化所形成更大规模的多阶意识世界的稳定存在，称之为内记忆状态结构化的稳定性。内记忆状态结构化的稳定性与意识世界的阶数成反比，即意识世界的阶数越高，内记忆状态结构化的稳定性就越差，好比一栋大厦，建的越高，就越容易崩塌，又或者堆叠豆腐，堆的层数越多，就越容易崩塌。其中，最稳定的是零阶的由固定电位构成的意识世界。</p>
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自由电位的意义：</p>
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1、当五大转界门开启时，能够引进并模拟物质世界的结构运动，从而进入外记忆状态，参与物质世界的各种结构平衡运动。</p>
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2、当五大转界门关闭时，能够为内记忆即固定电位结构的自由组合而形成更大规模的多阶意识世界tí gòng基础元素，从而进入深度内记忆状态，参与意识世界的各种结构元平衡运动。</p>
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3、无论是外记忆状态还是内记忆状态，都需要自由电位作为模拟、感知物质世界或意识世界的场所，是沟通与整合物质世界与意识世界的一个处理中心。</p>
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“对于自由电位结构，它的作用主要是对物质世界的结构进行结构化，使自由电位演化出物质世界的一部分，以此来感知物质世界，又或者，对意识世界的结构进行结构化，使之演化出一部分的意识世界，以此来感知意识世界。”</p>
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“对于人类的自由电位，可以任意替换吗？”</p>
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“可以任意替换，自由电位本身可视为质点，是结构化的一种基本单位，只要是满足可视为质点以充当结构化的基本元素的自由电位，都可以对原先的自由电位进行替换。”</p>
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“实际上，自由电位本身是一种媒介，它的作用是承接来自于物质世界的目的态吸力或者来自于意识世界的目的态吸力，而这些目的态吸力就会驱动自由电位的移动，使得众多自由电位形成具有不同空间分布的电位结构。在这个过程中，起到关键作用的是各种不同类型的目的态吸力，我说的对吧。”</p>
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“是的，关键的是来自物质世界或意识世界的不同类型的目的态吸力，自由电位的结构化只是不同类型的目的态吸力的外在体现而已。”</p>
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