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《21世纪之有限预言》 第二十四章 电位结构顿挫与感觉

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    </p>

    </p>

    单电位平衡顿挫(单电位可视作质点):在单电位平衡的过程中,目的态吸力从零变化到最大这段变量(又或者从最大变化到零),代表着目的电位加速,这段变量需要克服惯性,这段变量,称之为单电位平衡顿挫,简称顿挫。</p>

    </p>

    顿挫的描述:电位分布ze=(x,y,z),电磁力变化量ef=(0,efmax),顿挫用d表示,则顿挫关系d=z-f</p>

    </p>

    顿挫式</p>

    </p>

    质点顿挫式:d=z-f,电位质点式 d=ze-ef</p>

    </p>

    结构顿挫式:d=str-f,电位结构式 d=estr-ef</p>

    </p>

    多电位平衡顿挫(可视作多质点):在多电位平衡的过程中,电位平衡的切换,即从一个电位平衡的目的态吸力ef切换到另一个电位平衡的目的态吸力ef  的过程里,后者的力抵消了前者的力或抵消了前者的分力,这段前一个电位平衡的目的态吸力从最大变化到零的变化量,代表目的电位减速,需要克服惯性,这段变量,称之为多电位平衡顿挫,简称切换顿挫。</p>

    </p>

    </p>

    单电位结构平衡顿挫:在单电位结构平衡的过程中,目的态吸力从零变化到最大这段变量,代表着电位目的结构加速,这段变量需要克服惯性,这段变量,称之为单电位结构平衡顿挫,简称顿挫。</p>

    </p>

    顿挫的描述:电位结构estr=(zeize∈ze1,ze2,ze3,…zen,其中zen=(xn,yn,zn),n∈z),电磁力ef=(0,efmax),顿挫用d表示,则顿挫关系d=estu-f</p>

    </p>

    多电位结构平衡顿挫:在多电位结构平衡的过程中,电位结构平衡的切换,即从一个电位结构平衡的目的态吸力切换到另一个电位结构平衡的目的态吸力的过程里,后者的力抵消了前者的力或抵消了前者的分力,这段前一个电位结构平衡的目的态吸力从最大变化到零的变化量,代表电位结构减速,需要克服惯性,这段变量,称之为多电位结构平衡顿挫,简称切换顿挫。</p>

    </p>

    </p>

    </p>

    </p>

    </p>

    感觉</p>

    </p>

    电位始态球膜:由电位始态∞eo=(eo1,eo2,eo3,…eon…eo∞)的位置坐标eo构成的具有一定弹性限度的封闭球面,上面附着许多estr=(ze1,ze2,ze3,…zen)的质点ze,当球面上的某个电位结构进行电位结构平衡以达到目的态时,由eo构成的球面就会向球面外的电位目的态em以突刺状凸出以达到电位目的态em,又或者向球面内的电位目的态m凹陷以达到电位目的态em,而这个由始态∞eo=(eo1,eo2,eo3,…eon…eo∞)的位置坐标eo构成的封闭球面,称之为电位始态球膜。除了电位球膜外,其它的不规则形状的封闭膜称之为不定形电位始态膜。</p>

    </p>

    电位目的态膜:电位始态球膜受到简单或复杂的电磁力而使得它的一部分膜面积或全部膜面积向外凸出或向内凹陷而形成的新的膜或膜面积,该膜面积由电位目的态nem=(em1,em2,em3,…emn)的位置坐标em构成的不同形状的膜,称之为电位目的态膜。例如上面的膜刺、膜柱等等。</p>

    </p>

    电位膜路径距离:构成电位始态球膜的质点与由它形成的电位目的态膜的质点之间的电位路径距离的集合,称之为电位膜路径距离。其描述为neo→m=(eo→m1,eo→m2,eo→m3…eo→mn)。</p>

    </p>

    </p>

    </p>

    感觉(感知):由相对固定的电位始态∞eo=(eo1,eo2,eo3,…eon…eo∞)的位置坐标eo构成的具有一定弹性限度的封闭球面,即电位始态球膜,上面附着许多相对固定的电位结构estr=(ze1,ze2,ze3,…zen)的质点ze。当球面上的某个电位ze或电位结构estr进行平衡运动以达到由电位目的态nem=(em1,em2,em3,…emn)的位置坐标em构成的电位目的态膜(又或者-neo→m反电位目的态膜)时,其电位始态球膜与电位目的态膜之间的电位膜路径距离neo→m=(eo→m1,eo→m2,eo→m3…eo→mn)所发生的由有限单电位平衡顿挫d=z-f构成的单电位结构平衡顿挫d=str-f,以及由有限单电位结构顿挫结合而成的多电位结构平衡顿挫d=nstr-f,称之为感觉(感知)。</p>

    </p>

    质点感觉式:z-f=d,电位质点感觉式 ze-ef=d</p>

    </p>

    结构感觉式:str-f=d,电位结构感觉式 estr-ef=d</p>

    </p>

    多结构感觉式:nstr-f=d,多电位结构感觉式 n·estr-ef=d</p>

    </p>

    </p>

    </p>

    感觉的分布:多电位路径结构neo→m=(eo→m1,eo→m2,eo→m3…eo→mn),称之为感觉的分布。</p>

    </p>

    感觉的载体:多电位目的结构nestr=(estr1,estr2,estr3…estr n),称之为感觉的载体。  </p>

    </p>

    感觉的始态:对于一个多电位结构平衡系统,它最稳定或最长时间存在的相对固定的电位结构分布位置,即它的始态neo=(eo1,eo2,eo3,…eon),称之为感觉的始态。    </p>

    </p>

    感觉的目的态:多电位结构平衡系统的多电位目的态nem=(em1,em2,em3,…emn)以及多电位反目的态-nem=(-em1,-em2,-em3,…-emn),称之为感觉的顶峰。    </p>

    </p>

    感觉的进行:多电位结构平衡nestr-b=(estr-b1,estr-b2,estr-b3…estr-bn)从始态趋向目的态所发生的顿挫或者说电位结构平衡,称之为感觉的进行。  </p>

    </p>

    感觉的归零:由于电位始态球膜的相对固定性,所以会存在膜回归的现象,当多电位结构体的目的态nm=(m1,m2,m3,…mn)中的fn=(f1,f2,f3,…,fn)都为零时,即顿挫d=(z1-f1,z2-f2,z3-f3…zn-fn)为零,使得电位始态球膜回归到原始的状态,称之为感觉归零。处于感觉归零的状态时,意识体无法感知空间的变动与时间的流逝。</p>

    </p>

    </p>

    </p>

    </p>

    </p>

    </p>

    </p>

    “对于感觉,虽然你将其归结为由大量的可视为质点的单电位的平衡顿挫所构成的多电位结构平衡的顿挫,但是并没有解释为什么感觉是电位膜的一种顿挫,以及为什么感觉的基本单位是可视为质点的单电位,这可是有偷懒的嫌疑啊。”</p>

    </p>

    “这你就冤枉我了,实际上,这已经是到了所谓的公理层了,你问我为什么感觉的基本单位是可视为质点的单电位以及感觉是电位膜的一种顿挫,就好比质疑我为什么没有解释11=2以及所有的运算的守恒性一样,实在是有点强人所难。”</p>

    </p>

    “这已经到了公理的层次了?已经无法再寻根究底了吗?”</p>

    </p>

    “是的,再追寻下去,也没什么有趣的东西了,要不就是转入到别的领域,与别的领域统一在一起,互相渗透,互相转换,但实质上还是形式上的变换,本质上还是这些东西。”</p>

    </p>
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